• Microplaqueta Multilayer 0806 1206 proteção do impulso do varistor do varistor de óxido metálico 175V dos MOVIMENTOS
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Microplaqueta Multilayer 0806 1206 proteção do impulso do varistor do varistor de óxido metálico 175V dos MOVIMENTOS

Microplaqueta Multilayer 0806 1206 proteção do impulso do varistor do varistor de óxido metálico 175V dos MOVIMENTOS

Detalhes do produto:

Lugar de origem: Dongguan, Guangdong, China
Marca: AMPFORT
Certificação: UL,ROHS,REACH
Número do modelo: QV0604P271KTRA

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 2000PCS
Preço: Negotiable
Detalhes da embalagem: Fita, 2K pelo carretel
Tempo de entrega: 2 semanas
Termos de pagamento: T/T, união paypal, ocidental
Habilidade da fonte: 100.000.000 partes pelo mês
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Nome do produto: Chip Metal Oxide Varistor Multilayer 0806 TAMANHO: 0806
VAC: 175V VDC: 225V
Tensão do varistor: 270V±10% Vc: 450V
Temp de funcionamento: -40~+125℃ MPQ: Fita, 2K pelo carretel
Realçar:

Varistor de óxido metálico Multilayer dos movimentos da microplaqueta

,

varistor de óxido metálico de 0806 1206 movimentos

,

proteção do impulso 175Vvaristor

Descrição de produto

Chip Metal Oxide Varistor Multilayer 0806 1206 1210 1812 para o circuito de poder do diodo emissor de luz

Descrição de Chip Metal Oxide Varistor Multilayer

O varistor Multilayer da microplaqueta é um SMD empacotou o varistor. É feito da tecnologia cerâmica monolítica multilayer da estrutura e do semicondutor. Tem a indutância parasítica pequena, o tamanho pequeno, a eficiência alta de SMT, o tempo de resposta curto, a alta temperatura do funcionamento, e a proteção a vantagem da capacidade forte. É aplicado à proteção do poder de esquemas lineares de alta tensão da movimentação do diodo emissor de luz, e suprime a sobrecarga transiente causada pelo impulso da grade, procurar-la um caminho mais curto ou sobrecarrega-a na iluminação do diodo emissor de luz, assim como na sobretensão transiente causada pelas flutuações da tensão de grade e pelo interruptor da carga indutiva, incluindo IEC61000 -4-2, IEC61000-4-5 e outros eventos transientes usados em padrões da compatibilidade eletromagnética (compatibilidade eletrónica).

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Presentemente, a indústria do diodo emissor de luz começou a adotar soluções lineares de alta tensão integradas optoelectronic para várias lâmpadas de filamento menores, lâmpadas do bulbo, lâmpadas lisas, etc. Os componentes eletrônicos e os grânulos da lâmpada são integrados na carcaça de alumínio ao mesmo tempo, assim que significa que todos os componentes devem ser remendados. Consequentemente, o varistor como um dispositivo de proteção deve igualmente adotar componentes de SMD. O original produziu em massa o varistor laminado da microplaqueta apropriado para a proteção da alimentação CA da iluminação do diodo emissor de luz, 0604 a 1812, tem as características da espessura fina, do volume pequeno, e do grande caudal. Pode substituir o varistor de encaixe. , Com fusível, resistor, pilha da ponte, pode encontrar o teste combinado da onda acima de 1KV, que é bastante para encontrar as necessidades de proteção do diodo emissor de luz.

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Características de Chip Metal Oxide Varistor Multilayer

* tipo de SMD apropriado para a montagem do alto densidade
* relação de aperto excelente e capacidade forte de supressão do impulso da tensão
* varistor de alta tensão, apropriado para o circuito da C.A.

* o remendo pequeno de SMD, salvar o espaço e para facilitar a produção;

* a supressão alta do impulso, a capacidade do impulso do mesmo volume é muito maior do que tevês;

* desempenho de alta temperatura estável, nenhum derating em 125°C;

* baixo escapamento IL atual<5>

* não-polaridade em dois sentidos, tensão do baixo limite;

* melhor do que a avaliação da inflamabilidade UL94V-0;

* cumpra com os padrões de proteção ambiental de RoHS

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Aplicações de Chip Metal Oxide Varistor Multilayer

* usado para a fonte de alimentação, interface de rede, iluminação do diodo emissor de luz.
* capaz de substituir a peça de varistor leaded.

Tamanho de Chip Metal Oxide Varistor Multilayer (milímetros)

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Tipo L (milímetro) W (milímetro) T (milímetro) a (milímetro)
0806 2,2 +0.2/-0.2 1,8 +0.2/-0.2 2,0 máximo. 0.50±0.30
1206 3,2 +0.6/-0.4 1,8 +0.2/-0.2 2,0 máximo. 0.50±0.30
1210 3,2 +0.6/-0.4 2,5 +0.4/-0.2 2,6 máximo. 0.50±0.30
1812 4,5 +0.6/-0.2 3,2 +0.5/-0.2 3,5 máximo. 0.60±0.30

Parte 1 2 3
Componente Semicondutor de ZnO
Cerâmica para Chip Varistor
Interno
Elétrodo
(AG ou AG-paládio)
Elétrodo terminal
(Ag/Ni/Sn três
camadas)

Características elétricas de Chip Metal Oxide Varistor Multilayer

Número da peça. Tensão de trabalho máxima (V) Varistor
Tensão
Máximo Clamping Tensão Operação
Ambiental
Temperatura
(v) (8/20μs)
C.A. C.C. V1mA Vc (V) CI (A)
QV0604P271KTRA 175 225 270±10% 450 1 -40~+125℃
QV0604P431KT300 275 300 430±10% 705 1 -40~+125℃
QV0805P271KT151 175 225 270±10% 450 1 -40~+125℃
QV0805P431KT500 275 350 430±10% 705 1 -40~+125℃
QV0806P241KT201 150 200 240±10% 395 1 -40~+125℃
QV0806P271KT201 175 225 270±10% 450 1 -40~+125℃
QV0806P431KT101 275 350 430±10% 705 1 -40~+125℃
QV1206P241KT351 150 200 240±10% 395 1 -40~+125℃
QV1206P271KT301 175 225 270±10% 450 1 -40~+125℃
QV1206P431KT201 275 350 430±10% 705 1 -40~+125℃
QV1206P471KT201 300 385 470±10% 775 1 -40~+125℃
QV1206P511KT101 320 410 510±10% 850 1 -40~+125℃

Método do pacote de Chip Metal Oxide Varistor Multilayer

Fita no carretel

Tipo Fita Quantidade (PCes/carretel)
0806 Fita gravada 2000
1206 2000
1210 1500
1812 3000

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